日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至300kΩ·cm 
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq

日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀